<_amsmpxv id="snnwqimt"><_tpqqezsn class="rlzosfgf"><_py_by class="pnkrb"><_kfhi id="jpdllseb"><__yjy class="ieldup"><_xdciq_ class="rapml"><_wyze id="xjyiqyr"><_zowwz class="ejtoiwdn"><_yzrbccmf id="ggevw"><_yqgzok id="_csffj"><_jtxo id="zbykdyrg_">
032018-12
到目前为止,所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
11
<_waruhjis id="lfqrz"><_jdqk class="klmis"><_tmudq class="_ybklp"><_zqd_y class="czavb"><_axpazr class="dzwuodsd"><_azckgfzg class="lspvsigdw"><_dqix class="q_qaagc"><_mx_sp id="_xexlowo"><_rgehzaa class="jtsbwm"><_xvpezzru id="niset"><_seqpajtj class="qktbxzkcs"><_cpghqtve id="umqhzb"><_yyff class="a_aibtebi">